Análisis Transistor JFET Decremento sin Resistencia Rs
Paso 1 : Datos de entrada:
VP = -5v
Vcc=16V
Rd = 1K
Paso 2 : Analizando la malla VGG, VGS y considerando IG = 0.
Vgs=0V
Paso 3 : Como VGS> VP, el JFET o MOSFET está en la zona óhmica, por lo tanto, procedemos a calcular la ID, usando la ecuación de shockley:
evaluando tenemos:
IDQ = 12mA
Paso 4 : según la Ley OHM, haciendo la malla por los elementos VCC, RD, VDS
tenemos:
Despejando VDS tenemos:
Evaluando tenemos
VDS= 4V
Paso 5: dibujamos el punto Q del circuito
La aplicación Caldroid realiza estos cálculos automáticamente
veamos el resultado:
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